MOS -toru ja IGBT struktuurilised omadused

Elektroonilistes vooluahelates ilmuvad sageli MOS ja IGBT ning neid kõiki saab kasutada lülituselementidena. MOS ja IGBT on ka välimuselt ja iseloomulikelt parameetritelt mõnevõrra sarnased. Miks mõned ahelad kasutavad MOS -i? Ja mõned ahelad kasutavad IGBT -sid?

IGBT moodul koosneb täiendavast kihist MOSFETi äravoolus.

IGBT moodul on tegelikult kombinatsioon MOSFETist ja transistoritrioodist. MOSFET-i puuduseks on kõrge vastupanuvõime, kuid IGBT-moodul vabaneb sellest puudusest ja IGBT-moodulil on kõrge pinge korral endiselt madal takistus.

Lisaks võivad sarnased võimsusega IGBT -moodulid ja MOSFET -id IGBT -moodulite kiirus olla aeglasem kui MOSFET -idel.

Ülaltoodud on MOS -toru ja IGBT struktuuriomadused, mille tutvustas Inheritance Electronics